mPEC Forum

ถามโจทย์ปัญหา => ถามโจทย์ปัญหาฟิสิกส์อื่นๆ => Topic started by: syn on January 23, 2009, 10:13:19 PM



Title: รบกวนเรื่องไดโอด รอยต่อ N P
Post by: syn on January 23, 2009, 10:13:19 PM
เราบอกว่าไดโอดที่ต่ิอเเบบforward bias นั้น คือเอา p ต่อกับขั้วบวกของเเบตเอาnต่อกับลบ

เพราะฉะนั้นสนามไฟฟ้าจะมีทิศหักล้างกันทำให้ศักย์ไฟฟ้าระหว่างรอยต่อมีค่าลดลงเเล้วเราเลยบอกว่าอิเลกตรอนกระโดดข้ามเเถบพลังงานได้ง่ายขึ้นเพราะฉะนั้นกระเเสไหลมากขึ้น เเล้วถ้าบอกว่า ความต่างศักย์ที่รอยต่อหลังต่อเเบต V = V_{\mbox{bat}}-V_{\mbox{0}} โดยV_{\mbox{0}} คือความต่างศักย์ที่รอยต่อก่อนต่อเเบต ผมไม่ให้ว่าสมการนี่ให้ศักย์ที่รอยต่อลดลง เช่นถ้าให้ V_{\mbox{0}} = 1  volt    V_{\mbox{bat}}=10  volt  Vจะเท่ากับ 9voltซึ่งมากกว่าV_{\mbox{0}}อยุ่ดีครับ

เเละผมงงว่าจากสูตร I=I_{\mbox{s}}(e^({\dfrac{ev}{kT})-1)

ซึ่งบอกว่ากระเเสจะลดลงเมื่อความต่างศักย์ไฟฟ้าที่รอยต่อลดลงซึ่งทำไมมันขัดเเย้งกันครับ

เเล้วกระเเสที่ไหลในวงจร(กระเเสปกติที่คุ้นเคย)กับกระเเสในโฮลกับกระเเสสอิเล๊กตรอนในวงจรคือกระเเสเดียวกันเปล่าครับ

รบกวนด้วยครับไม่เข้าใจจริงๆ


Title: Re: รบกวนเรื่องไดโอด รอยต่อ N P
Post by: phongphanp on February 01, 2009, 06:19:57 AM
งงคำถาม  ช่วยเรียบเรียงใหม่ก็ดี

เข้าใจการทำงานของไดโอดหรือเปล่าครับ ลองพล็อตกราฟของสมการ I = Is... ดู จะเข้าใจมากกว่านะ
สมมติว่าไบอัส 100 V (สมมติว่าไม่เสีย) กราฟมันก็จะขึ้นอยู่ที่ระดับค่ากระแสหนึ่ง เพราะประจุเต็ม

ส่วนกระแสโฮลหรืออิเล็กตรอน นั้นหากเป็นโลหะ จะสนใจกระแสอิเล็กตรอน หากเป็นสารเซมิคอนดักเตอร์จะมีทั้งกระแสโฮลและอิเล็กตรอน ซึ่งแต่ละแหล่งกำเนิดจะมีหลายแหล่งในชิ้นสาร PN